Nanya Tech cuadruplica su capex en 2027 - Taiwán apuesta fuerte por el regreso del DRAM

El tercer actor mundial de DRAM anuncia un capex 2027 multiplicado por cuatro. No es una apuesta por la HBM —es una apuesta por la memoria "de la vieja escuela" que la IA está volviendo a poner en el centro.

En términos sencillos

Nanya Technology, tercer fabricante mundial de DRAM (detrás de Samsung y SK Hynix, por delante de Micron en algunos segmentos), anuncia que cuadruplicará su capex para 2027: un salto de varias decenas de miles de millones de NT$ frente a las previsiones iniciales. La apuesta: la recuperación sostenida de los precios de DRAM DDR5 y LPDDR5X, impulsada por la IA en servidores Y por el repunte de la demanda en PC/servidores empresariales.

El asunto

Nikkei Asia (11 de julio de 2026) informa que Nanya orienta este capex hacia dos ejes: (1) aumento de la producción en su fábrica Nan-Ke (Tainan) en nodos 1a-nm y 1b-nm; (2) preparación de un nuevo edificio dedicado a la HBM3E —un segmento en el que Nanya estaba ausente hasta ahora—. El contexto: el precio spot del DDR5 ha subido con fuerza en los últimos trimestres, y los contratos a largo plazo, aunque con retraso, también lo están haciendo.

Lo que ocurre: la HBM absorbe una parte creciente de los wafers de DRAM en SK Hynix y Samsung. Como resultado, la DRAM "clásica" (DDR5, LPDDR5X) se vuelve estructuralmente infraofertada. Nanya, que apenas tenía HBM, se encuentra con una ventaja inesperada en el segmento de "commodities", lo que explica los precios y el capex.

Recordatorio del hilo (ver #1000): SK Hynix acaba de recaudar una gran suma en Wall Street con la misma tesis: la memoria vuelve a ser un activo escaso, y su precio lo refleja. Nanya sigue el mismo guión, pero en menor escala y con retraso.

Bajo el capó

• Nodo objetivo: 1a-nm (~0,014 μm de semi-paso) y 1b-nm —equivalente a Micron 1β y Samsung D1a—.
• Mezcla de productos prevista para 2028 (proyección, por confirmar por la empresa): mayoritariamente DDR5, un pilar en LPDDR5X, y una parte incipiente en HBM3E.
• Ratio capex/ingresos: marcado aumento en 2027 frente a la media de los últimos 5 años. Señal financiera: el mercado lo ha validado, y la acción reaccionó bien el día del anuncio.
• Riesgo cíclico: la DRAM es una commodity cíclica; un capex cuadruplicado implica un flujo de caja negativo durante 2 años antes de la recuperación.

Entonces, ¿qué?

Tres interpretaciones. Uno: la DRAM estándar vuelve a ser un activo tensionado —cada expansión de capex tarda 18-24 meses en materializarse, por lo que la ventana de precios altos aún tiene margen—. Dos: Micron debe responder, y probablemente Samsung también en la parte no-HBM; esperen anuncios similares antes de Q4. Tres: en el lado de la nube/empresarial, quienes firmaron contratos de memoria a largo plazo a principios de 2025 (a precios mínimos) hicieron el mejor negocio de la década. A vigilar: el movimiento del precio spot del DDR5 en los próximos 90 días y el próximo anuncio de Micron sobre su capex FY27.