CXMT、LPDDR6の12,800 Mbps量産に迫る - 中国のメモリ躍進

ChangXin Memory Technologies、12,800 Mbps LPDDR6 モバイル DRAM の量産に近づく - IPO 急騰から数か月で中国のメモリ産業にとっての真の技術的飛躍

事実

Pandailyによると、2026年8月1日に、CXMT（ChangXin Memory Technologies）が12,800 MbpsのLPDDR6モバイルDRAMの量産に向けて着実に前進しており、研究の検証が完了に近づいていると報じられている。LPDDR6は次世代のモバイルメモリー規格であり、LPDDR5Xと比較して帯域幅をほぼ2倍に向上させたもので、最新のフラッグシップスマートフォンやエッジAI SoCの設計に採用されるメモリータイプである。

当社の見解

CXMTの7月のIPOは、サムスン、SKハイニックス、マイクロンに追いつくという約束で中国のメモリーストーリーに価格を付けた。これは、その約束をマイルストーンに変える最初のハードな技術データポイントである。12,800 Mbpsは、現在3社の大手が出荷している性能と競合しており、モバイルDRAMは中国のOEM（OPPO、Honor、vivo、Xiaomi）が囲い込み顧客基盤を提供するセグメントであり、同じOEMが10,000 mAhのシリコン炭素バッテリーでオンデバイスAIを推進している。次なるハードルは歩留まりの向上であり、NVIDIAの規制により外国製装置へのアクセスが真のリスク要因となる。しかし、方向性は今や測定可能なものであり、単なる目標ではない。

見るべきポイント

実際の量産開始日、歩留まりの開示（または非開示）、CXMT製LPDDR6を搭載した最初のフラッグシップを出荷する中国OEM。また注目すべきは、ローエンドのLPDDRノードにおけるマイクロンやSKハイニックスの価格反応である。