従来型DRAMおよびNANDは7月に記録的な高値を記録：メモリ不足が拡大
韓国の産業データによると、7月の従来型（HBM以外）メモリ価格は過去最高を記録しており、AIの超サイクルが汎用メモリ市場に波及している。
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Montage、CXL 3.2チップの生産を開始 - 中国に2番目のメモリファブリックサプライヤーが誕生
上海のモンタージュ、CXL 3.2コントローラーの生産を開始 - AIサーバーの経済性を再構築するメモリープーリングファブリックに中国第二のサプライヤーが登場
Aug 1, 2026 at 09:40 14 18
CXMT、LPDDR6の12,800 Mbps量産に迫る - 中国のメモリ躍進
ChangXin Memory Technologies、12,800 Mbps LPDDR6 モバイル DRAM の量産に近づく - IPO 急騰から数か月で中国のメモリ産業にとっての真の技術的飛躍
Aug 1, 2026 at 09:40 12 13
キオクシアは年間利益を31倍にする計画：NANDがAIスーパーサイクルに突入
ネット利益Q1が4500%増加、年間予測31倍 - キオクシアがSKハイニックスに続きAIメモリーパワーサイクルに参入。HBMからエンタープライズNANDへピンチが拡大
Jul 31, 2026 at 12:50 13 14
SK HynixがAIメモリブームで過去最高のQ2利益を目指す - メモリサイクルがピークに
SK HynixはAIメモリ需要により過去最高のQ2利益を予想しています。韓国のメモリ寡占企業は、HBM価格支配力の最も純粋な単一の代理指標となっています。
Jul 27, 2026 at 10:17 10 11
SamsungがHBM5ベースダイを2nmに押し上げ、+50%の速度向上を目指す - メモリ戦争がロジック級ノードへ
SamsungはHBM5のベースダイを2nmプロセスで製造し、50%の速度向上を目指しています。メモリはもはや容量追求だけではなく、ロジックノードの経済性を追求しています。
Jul 27, 2026 at 10:16 14 12
CXMTがデビューで500%急騰、インテルの時価総額を上回る - 中国のメモリがサイクルピークで再評価
中国のメモリメーカーCXMTは上海証券取引所への上場で471～500%急騰し、一時はインテルの時価総額を上回った。市場のメッセージ：HBM/DRAMこそが次にAI資金が流れ込む分野だ。
Jul 27, 2026 at 10:16 6 6
SK Hynix Q2 記録: AI 設備投資の影響が最初に表れるメモリ市場
SK HynixはTech in Asiaによると、Q2の記録的利益を目指しており、AIサーバー向けHBM市場の57%を占めている。これにより、Kioxiaの事実上の第2株主となったが、現在は議決権はない。HBMの制約が2027-2028年のトークンのコストの時計となっている。
Jul 26, 2026 at 18:40 12 8
CXMTは上海で86億米ドルを目指す：中国のメモリが株式市場に参入
DRAM分野の中国チャンピオン企業のIPOは、独自のスタックを構築し、国内資本市場からHBMレースの資金調達に乗り出す「計算主権」の主張を裏付ける
Jul 24, 2026 at 09:33 12 8
OppoとVivoはサムスンのQ3メモリ価格を拒否：HBM/DRAMの緊張が激化
TechNodeによると、OPPOとVivoはSamsung ElectronicsのQ3 2026向けメモリープライスオファーを辞退したとのこと。顧客間の交渉でCapex競争が激化している。
Jul 23, 2026 at 07:42 9 9
インドのスマートフォン市場でDRAM不足が深刻化：消費者向け端末への影響拡大
HBMがDRAMを吸収する。一般消費者がその兆しを最初に見る市場：インド。手頃な価格のスマートフォンが値上がりするか、RAMが減少する傾向にある。
Jul 19, 2026 at 00:39 23 10
Fudan : 「Quantum Flash」が室温で電子を蓄える — *Science* 誌に掲載
Fudan大学の研究チームがScience誌に室温で動作する単一電子ストレージ技術「Quantum Flash」を発表 - メモリの物理的限界に関する新たな課題を提起する画期的な材料技術
Jul 17, 2026 at 14:19 28 9