Nanya Tech、2027年までにDRAM生産設備投資を4倍に拡大 - 台湾、DRAM回帰に大規模投資

第三位のDRAM世界大手が2027年の設備投資を4倍に増額を発表。これはHBMではなく、AIが再び注目を集める「旧式」メモリへの賭けだ。

簡単に言えば

Nanya Technology（世界第3位のDRAMメーカー、サムスンとSK Hynixに次ぎ、一部セグメントでマイクロンを上回る）は、2027年の設備投資（capex）を4倍に増額すると発表。初期予測から数十億NTドルの大幅増額で、その狙いはDRAM DDR5およびLPDDR5Xの価格上昇の持続的な回復にあり、サーバー向けAI需要とPC/サーバー企業向け需要の回復が後押しする。

事の顛末

Nikkei Asia（2026年7月11日）によると、Nanyaはこの設備投資を2つの方向に振り向ける： (1) 台湾台南のNan-Ke工場（1a-nmおよび1b-nmプロセス）の生産能力増強 (2) HBM3E専用の新棟建設（NanyaはこれまでHBM市場にほぼ参入していなかった）

背景：DDR5のスポット価格はここ数四半期で大幅に上昇しており、長期契約も遅れながらも追随している。

現状：HBMはSK HynixとサムスンのDRAMウェハーのシェアを奪いつつあり、その結果「普通の」DRAM（DDR5、LPDDR5X）は構造的に供給不足に陥っている。HBMにほとんど参入していなかったNanyaは、コモディティセグメントで予想外の優位性を獲得し、それが価格上昇と設備投資増額につながっている。

参考（#1000を参照）：SK Hynixは最近ウォールストリートで大規模な資金調達を発表しており、同じ論理に基づくものだ。メモリが再び希少資産となり、それに応じた価格が付けられている。Nanyaは同じ戦略を、より小規模かつ遅れて実行している。

中身の詳細

• 目標プロセスノード：1a-nm（~0.014μm半ピッチ）および1b-nm。マイクロンの1βやサムスンのD1aに相当。
• 2028年の製品ミックス目標（会社発表は未確定）：主にDDR5、LPDDR5Xを柱とし、HBM3Eのシェアを徐々に拡大。
• 設備投資/売上高比率：2027年に5年平均から大幅に上昇。市場はこれを承認し、発表当日の株価は好反応を示した。
• サイクルリスク：DRAMは景気循環型のコモディティであり、設備投資の4倍増は2年後のキャッシュフロー黒字化まで現金流出を招く。

結論

3つの見方がある。 1つ目：標準DRAMが再び逼迫した資産クラスに。各社の設備投資増強には18～24カ月のリードタイムがあり、高価格の余地はまだある。 2つ目：マイクロンは対応を迫られ、サムスンもHBM以外の分野で同様の発表が予想される。Q4までに類似の発表が出るだろう。 3つ目：クラウド/企業向けでは、2025年初頭に長期メモリ契約を結んだ企業（底値で調達）が、この10年で最高の取引をしたことになる。注目点：今後90日間のDDR5スポット価格の動向と、マイクロンのFY27設備投資発表。