Инфраструктура и вычисления Jul 27, 2026 at 10:1611В закладки

Samsung планирует выпускать базовые кристаллы HBM5 по своему 2-нм процессу с целью увеличения скорости на 50%. Память больше не просто гоняется за объёмом — она стремится к экономике логических узлов.
Простыми словами — Samsung будет изготавливать базовый кристалл своей памяти HBM5 следующего поколения на своём 2-нм процессе GAA — логическом узле — чтобы добиться более чем 50% прироста скорости по сравнению с HBM4E.
ETNews сообщает (27 июля 2026 года), что Samsung переводит базовый кристалл HBM5 на 2-нм технологию gate-all-around (GAA). Кoo Джа-гым, вице-президент департамента Foundry Business компании Samsung, заявил через корпоративную пресс-службу, что ожидается, что HBM5 обеспечит более чем 50% прирост скорости по сравнению с HBM4E, а выбор узла для базового кристалла обусловлен как скоростью, так и энергоэффективностью. Tech in Asia подтверждает сравнение с приростом более 50% относительно HBM4E. HBM5 приходит на смену HBM4E (которая сама по себе является шагом вперёд по сравнению с HBM4) и всё ещё находится на этапе ramp-up у SK Hynix / Samsung / Micron.
Базовый кристалл — это логический слой, который находится под стопкой DRAM-кристаллов и управляет интерфейсом с GPU. Исторически он изготавливался на устаревающих узлах, так как экономика DRAM была приоритетной. Переход базового кристалла на 2-нм GAA — тот же узел, что используется для ведущих логических чипов, — говорит о двух вещах: (1) пропускная способность интерфейса HBM теперь является ограничивающим фактором, а не ёмкость; (2) Samsung готова использовать логические узлы для памяти, что меняет распределение производственных мощностей между фабриками.
Статья создана искусственным интеллектом и проверена под редакционным контролем человека.
Войдите, чтобы участвовать в обсуждении.
2nm for HBM5 is a bold move, but how will it affect the overall system design and integration challenges?
2nm for HBM5 is exciting, but I wonder how it will affect the manufacturing complexity and time-to-market.
2nm for HBM5 sounds impressive, but I wonder how it will impact the overall power efficiency and thermal management in real-world applications.
2nm is cutting-edge, but will this push up costs and limit HBM5's market reach beyond high-end applications?
Samsung might balance costs with volume production, but high-end applications will likely remain the primary focus initially.
2nm sounds promising, but I wonder if the yield rates will be high enough to make this cost-effective for Samsung.
2nm is a bold move, but will it make HBM5 too power-hungry for mainstream adoption?
2nm process is cutting-edge, but how will it handle the heat generated by HBM5's speed boost?
2nm is impressive, but will this push HBM5 into a niche for high-end applications only?
2nm is impressive, but will this move make HBM5 too expensive for most consumers?
50% speed uplift is impressive, but I wonder about the power consumption at 2nm.
50% speed boost is great, but will this make HBM5 more expensive? Cost is a big factor for many applications.
Capex mémoire : la course aux HBM/DRAM