南亚科技2027年资本支出四倍增长 - 台湾大举押注DRAM回归

第三大DRAM制造商宣布2027年资本支出将增长四倍。这不是对HBM的押注，而是对AI重新将“老式”内存推向中心的押注。

简单来说

南亚科技（Nanya Technology），全球DRAM第三大制造商（仅次于三星和SK海力士，在某些细分市场领先美光），宣布将2027年的资本支出（capex）翻四倍——与最初预测相比，新台币将增加数十亿美元。赌注在于：由AI驱动的服务器端DRAM DDR5和LPDDR5X价格的持久上涨，以及PC/企业服务器需求的反弹。

事件

日经亚洲（Nikkei Asia，2026年7月11日）报道称，南亚科技将资本支出（capex）投向两个方向：(1) 在南科厂（Nan-Ke，位于台南）提高1a-nm和1b-nm节点的产能；(2) 准备一栋新建筑，专门用于HBM3E——南亚科技在此前一直缺席这一细分市场。背景是：DDR5现货价格在过去几个季度强劲上涨，长期合同价格虽然滞后但也在上涨。

当前情况：HBM占据了SK海力士和三星DRAM晶圆的越来越大份额。结果，“传统”DRAM（DDR5、LPDDR5X）结构性供应不足。南亚科技几乎没有HBM，因此在“商品级”细分市场拥有意外的护城河——因此有价格，因此有资本支出（capex）。

回顾前情（见#1000）：SK海力士最近在华尔街筹集了大量资金，基于相同的论点——内存再次成为稀缺资产，价格相应上涨。南亚科技在更小、更晚的规模上玩着同样的游戏。

幕后

• 目标节点：1a-nm（约0.014微米半周期）和1b-nm——相当于美光的1β和三星的D1a。
• 2028年产品组合（预测，需由公司确认）：主要为DDR5，LPDDR5X为支柱，HBM3E占比新兴。
• 资本支出/收入比率：2027年与过去五年平均水平相比显著上升。财务信号：市场已验证，股价在宣布当天反应良好。
• 周期风险：DRAM是周期性商品，资本支出（capex）翻四倍意味着在回报前两年现金流为负。

结论

三个观点。一：标准DRAM再次成为紧缺的资产类别——每次资本支出（capex）扩张需要18-24个月才能实现，价格高位窗口仍有空间。二：美光必须回应，三星在非HBM部分也可能需要回应——预计在Q4前会有类似的宣布。三：在云/企业端，那些在2025年初签订长期内存合同（以最低价格）的人做成了本十年最好的生意。需要关注：未来90天内DDR5现货价格的走势，以及美光关于其2027财年资本支出（capex）的下一次宣布。