三星将HBM5基础芯片推向2nm，目标速度提升+50% - 内存战争转向逻辑级节点

三星计划在其2nm工艺上构建HBM5的基础芯片，目标速度提升50%。内存不再仅仅追求容量，它正在追求逻辑节点经济。

通俗易懂 - 三星将在其2nm GAA工艺节点（逻辑类节点）上构建下一代HBM5内存的基础晶圆，以实现比HBM4E高出50%以上的速度提升。

事实

ETNews报道（2026年7月27日），三星正在将HBM5基础晶圆推向2nm门极全包围（GAA）工艺。三星代工业务的副总裁Koo Ja-geum通过公司新闻室表示，HBM5预计需要比其直接前身HBM4E提高50%以上的速度，基础晶圆的节点选择既受速度驱动，也受功耗效率驱动。Tech in Asia证实了与HBM4E相比50%以上的框架。HBM5是HBM4E的继任者（HBM4E本身是HBM4的进一步发展），目前仍处于SK海力士/三星/美光的爬坡阶段。

我们的分析

基础晶圆是位于堆叠DRAM晶圆下方的逻辑层，负责协调与GPU的接口。历史上，它是基于落后的节点构建的，因为DRAM经济主导。将基础晶圆移至2nm GAA——与领先的逻辑芯片使用的相同节点——表明了两点：(1) HBM接口带宽现在是瓶颈，而不是容量；(2) 三星愿意在内存上花费逻辑节点晶圆，这重塑了代工厂的晶圆分配。

关注点

• SK海力士对基础晶圆节点选择的回应
• TSMC与三星代工厂在2nm基础晶圆上的份额
• Nvidia/AMD的路线图日期是否提前HBM5供应，还是将其留在2027-2028年