CXMT rückt der Massenproduktion von LPDDR6 bei 12.800 Mbps näher – der chinesische Speicher-Schritt nach oben

ChangXin Memory Technologies nähert sich der Massenproduktion von 12.800 Mbps LPDDR6-Mobil-DRAM – ein echter Technologieschritt für die chinesische Speicherindustrie, Monate nach ihrem Börsenboom.

Die Fakten

Pandaily berichtet am 1. August 2026, dass CXMT (ChangXin Memory Technologies) die Massenproduktion von LPDDR6-Mobil-DRAM mit 12.800 Mbps nähert und die Forschungsvalidierung kurz vor dem Abschluss steht. LPDDR6 ist der nächste mobile Speicherstandard, der die Bandbreite im Vergleich zu LPDDR5X etwa verdoppelt, und ist die Speicherart, für die moderne High-End-Smartphones und Edge-AI-SoCs entwickelt werden.

Unsere Einschätzung

CXMTs Börsengang im Juli bewertete die chinesische Speicherstory mit dem Versprechen, zu Samsung, SK Hynix und Micron aufzuschließen. Dies ist der erste konkrete Technologiedatenpunkt, der das Versprechen in einen Meilenstein verwandelt. 12.800 Mbps ist wettbewerbsfähig mit dem, was die drei Marktführer heute anbieten, und Mobil-DRAM ist das Segment, in dem chinesische OEMs (OPPO, Honor, vivo, Xiaomi) eine captive Kundenbasis haben – dieselben OEMs, die 10.000-mAh-Silizium-Kohlenstoff-Batterien vorantreiben, um On-Device-KI zu ermöglichen. Die nächste Hürde ist die Ausbeutehochlaufphase, und die Nvidia-Sanktionen machen den Zugang zu ausländischer Ausrüstung zum entscheidenden Risikofaktor. Doch die Richtung ist nun messbar, nicht nur visionär.

Was zu beobachten ist

Tatsächliches Startdatum der Massenproduktion, Offenlegung der Ausbeute (oder deren Fehlen) sowie welches chinesische OEM das erste High-End-Smartphone mit CXMT-LPDDR6 an Bord auf den Markt bringt. Ebenso lohnt es sich, mögliche Preisanpassungen von Micron oder SK Hynix bei günstigeren LPDDR-Knoten zu verfolgen.