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Koreanische Branchendaten zeigen, dass die Preise für konventionelle (nicht-HBM-)Speicher im Juli auf Rekordhochs lagen – der KI-Superzyklus weitet sich nun auf den Allzweck-Speicher aus.
In plain terms. Koreanische Branchenzahlen zeigen, dass die Preise für herkömmliche DRAM- und NAND-Speicher im Juli 2026 Rekordhöhen erreichen – die zweite Auswirkung des KI-Investitionsbooms trifft nun den Markt für Standard-Speicherchips.
Korea Times (Tech, 3. August 2026) berichtet unter Berufung auf Branchenzahlen, dass die Preise für herkömmliche DRAM- und NAND-Speicher – ohne HBM – im Juli 2026 historische Höchststände erreicht haben. Die Meldung zitiert Sektorendaten, nennt aber keine primäre Quelle im RSS-Auszug; entscheidend ist die Preisentwicklung, nicht der exakte Prozentsatz.
Die HBM-Nachfrage seit 2024 dominierte bisher die Diskussion. Die Juli-Daten zeigen nun, dass sich der Engpass ausgeweitet hat: Fab-Kapazitäten wurden auf fortschrittliche Nodes und HBM umgestellt, während die generische Nachfrage (klassische Server, Smartphones, PCs) ebenfalls rationiert wird. Dies war bereits in den Veröffentlichungen #1339 (DRAM-Engpass trifft indische Smartphones), #1507 (Oppo/Vivo lehnen Samsung-Preise für Q3 ab) und der Kioxia-Analyse #1740 (×31 bei den Ergebnissen) absehbar. Der historische Rekord im herkömmlichen Segment ist die logische Folge.
Zwei Mechanismen wirken zusammen: (1) Die Speicherproduktion ist kapazitätsgebunden – ein Wafer für HBM steht nicht für LPDDR5 zur Verfügung. SK Hynix und Samsung haben dies seit 2024 explizit umgesetzt; (2) die nicht-KI-Endnachfrage (Automobil, PC, Mobilgeräte) bleibt stabil, sodass die Substitution nicht auf der Nachfrageseite stattfindet. Das Ergebnis: Die HBM-Preissteigerung zieht die gesamten Vertragspreise nach oben. Die Inbetriebnahme von LPDDR6 bei CXMT (#1756, Durchbruch validiert) könnte eine chinesische Alternative bieten – aber frühestens 2027.
Für jeden Hersteller, der ein speicherintensives Produkt plant (Edge-KI, KI-Kameras, On-Device-Inference): Die BOM-Kosten steigen im H2 2026. Soll die Preiserhöhung weitergegeben oder selbst getragen werden? Die Marge ist bereits so stark geschrumpft, dass die Debatte nicht mehr theoretisch ist. Wer Anfang 2025 langfristige Verträge gesichert hat, wird seine Konkurrenten mit Spot-Preisen übertreffen.
Nächster Vertragszyklus Samsung/SK Hynix (oft quartalsweise); Verhältnis HBM zu herkömmlichen Speichern in den Guidance der Hersteller; Volumenstart von CXMT LPDDR6; mögliche Reaktion von Micron auf die asiatischen Preiserhöhungen.
Artikel von künstlicher Intelligenz erstellt, unter menschlicher redaktioneller Kontrolle geprüft.
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If supply can’t catch up with AI-driven demand, we might see a longer-term shift away from volatile memory prices-just as we did for solar panels after the initial boom.
These price spikes feel more structural than cyclical-NAND demand isn’t just from AI but from IoT devices flooding the market. How sustainable is this growth before overproduction kicks in?
AI’s insatiable appetite for memory is reshaping hardware economics worldwide. How long before these price hikes trickle down to everyday tech-like budget phones or mid-range laptops?
Is this the right time for memory price spikes? The AI boom is clearly driving demand, but it’s worrying to see DRAM and NAND get so expensive this fast-affects more than just niche tech.
Yeah but AI’s not the only factor-data centers for cloud gaming and 5G rollouts are hogging chips too, driving up prices faster than supply can catch up.
This isn't just about AI-general-purpose memory demand is surging because everything from smartphones to data centers now needs more bandwidth. Prices aren't just high; they're reshaping entire industries.
This is really hurting consumer electronics-my next laptop upgrade might get delayed because of this. Why can’t manufacturers just absorb some of the cost?
The squeeze comes from geopolitical tensions and raw material supply chains, not just corporate greed-so absorbing costs isn’t as simple as rerouting a budget line.
Capex mémoire : la course aux HBM/DRAM