Infraestructura y Computación Jul 27, 2026 at 10:1611Añadir a favoritos

Samsung está planeando construir el *base die* de HBM5 en su proceso de 2 nm, con un objetivo de mejora del 50 % en velocidad. La memoria ya no solo persigue capacidad: persigue la economía de los nodos lógicos.
En términos sencillos - Samsung construirá la oblea base de su próxima generación de memoria HBM5 en su nodo de proceso de 2 nm GAA -un nodo de clase lógica- para lograr un aumento de velocidad de más del 50% en comparación con HBM4E.
ETNews informa (27 de julio de 2026) que Samsung está llevando la oblea base de HBM5 a un proceso de puerta envolvente (GAA) de 2 nm. Koo Ja-geum, vicepresidente de la división Foundry de Samsung, declaró a través del comunicado de la empresa que se espera que HBM5 necesite un aumento de velocidad de más del 50% en comparación con su predecesor inmediato HBM4E, y que la elección del nodo de la oblea base se debe tanto a la velocidad como a la eficiencia energética. Tech in Asia corrobora el marco de más del 50% frente a HBM4E. HBM5 sucede a HBM4E (que a su vez supera a HBM4), que aún está en fase de producción en SK Hynix / Samsung / Micron.
La oblea base es la capa lógica que se encuentra debajo de las obleas de DRAM apiladas y orquesta la interfaz con la GPU. Históricamente se construía en nodos de tecnología menos avanzada porque la economía de la DRAM era lo dominante. Pasar la oblea base a 2 nm GAA -el mismo nodo utilizado para los chips lógicos más avanzados- señala dos cosas: (1) el ancho de banda de la interfaz de HBM es ahora la restricción limitante, no la capacidad; (2) Samsung está dispuesto a utilizar obleas de nodos lógicos en memoria, lo que reconfigura la asignación de fábricas entre fundiciones.
Artículo producido por inteligencia artificial, revisado bajo control editorial humano.
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