Nanya Tech、2027年までに四倍の設備投資 - 台湾、DRAM回帰に大規模投資

第三位のDRAM世界大手が2027年の設備投資を4倍に増額を発表。これはHBMへの賭けではなく、AIが再び注目を集める「旧式」メモリへの賭けだ。

簡単に言えば

Nanya Technology（世界第3位のDRAMメーカー、サムスンとSKハイニックスに次ぎ、一部セグメントでマイクロンを上回る）は、2027年の設備投資額を4倍に増額すると発表。初期予測から数十億NTドルの大幅増額となる。賭けは、AIサーバー側とPC/サーバー企業向け需要の回復により、DRAM DDR5およびLPDDR5Xの価格が持続的に上昇するという見通し。

詳細

日経アジア（2026年7月11日）によると、Nanyaはこの設備投資を2つの方向に振り向ける：

1. 台湾・台南のNan-Ke工場で1a-nmおよび1b-nmプロセスの生産能力を引き上げる
2. これまで手がけていなかったHBM3E専用の新棟を建設する

背景：DDR5のスポット価格は過去数四半期で大幅に上昇しており、長期契約も遅れながらも追随している。

状況：HBMはSKハイニックスとサムスンのDRAMウェハーの割合を増やしている。その結果、従来型DRAM（DDR5、LPDDR5X）は構造的に供給不足に陥っている。HBMをほとんど手がけていなかったNanyaは、コモディティセグメントで予期せぬ優位性を獲得し、それが価格上昇と設備投資増額につながっている。

参考（#1000を参照）：SKハイニックスは最近、この同じテーマでウォール街から大規模な資金調達を行った。メモリが再び希少資産となり、それに応じた価格が付けられている。Nanyaは同じ戦略を、より小規模かつ遅れて実行している。

技術的詳細

• 目標プロセスノード：1a-nm（半ピッチ約0.014μm）および1b-nm。マイクロンの1βやサムスンのD1aに相当。
• 2028年の製品ミックス目標（会社発表を要確認）：主にDDR5、LPDDR5Xを柱とし、HBM3Eの割合を徐々に増やす。
• 設備投資/売上高比率：2027年に5年平均から大幅に上昇。財務シグナル：市場はこれを承認しており、発表当日に株価は好反応を示した。
• サイクルリスク：DRAMは景気循環型のコモディティであり、設備投資を4倍に増やすと、キャッシュフローが黒字化するまでに2年のマイナス期間が生じる。

結論

3つの解釈： 1. 標準DRAMが再び逼迫する資産クラスに戻った。各社の設備投資増額には18-24ヶ月のリードタイムがあり、高価格の余地はまだある。 2. マイクロンは対応を迫られ、おそらくサムスンもHBM以外の分野で同様の発表をするだろう。Q4までに類似の発表を予想。 3. クラウド/企業向けでは、2025年初頭に長期メモリ契約を結んだ（底値で）企業が、この10年の最良の取引をしたことになる。

注目点：今後90日間のDDR5スポット価格の動向と、マイクロンのFY27設備投資発表。