Samsung avança com die base de HBM5 para 2nm visando +50% de velocidade — a guerra de memória migra para nós de lógica

A Samsung está planejando construir o *base die* do HBM5 em seu processo de 2 nm, com um objetivo de aumento de 50% na velocidade. A memória não está mais apenas buscando capacidade — ela está buscando a economia dos nós lógicos.

Em termos simples - A Samsung construirá a matriz base de sua próxima geração de memória HBM5 em seu nó de processo GAA de 2 nm - um nó de classe lógica - para atingir um aumento de velocidade superior a 50% em relação ao HBM4E.

O fato

A ETNews relata (27 de julho de 2026) que a Samsung está avançando com a matriz base do HBM5 para um processo de porta-all-around (GAA) de 2 nm. Koo Ja-geum, vice-presidente da divisão Foundry da Samsung, afirmou por meio da sala de imprensa da empresa que o HBM5 deve precisar de um aumento de velocidade superior a 50% em relação ao seu predecessor imediato, o HBM4E, e que a escolha do nó da matriz base é impulsionada tanto pela velocidade quanto pela eficiência energética. A Tech in Asia corrobora a comparação de superioridade de 50%+ em relação ao HBM4E. O HBM5 sucede o HBM4E (que já é um avanço em relação ao HBM4), que ainda está em fase de implementação na SK Hynix / Samsung / Micron.

Nossa análise

A matriz base é a camada lógica que fica abaixo das matrizes de DRAM empilhadas e orquestra a interface com a GPU. Historicamente, ela era construída em nós de ponta defasados porque a economia da DRAM dominava. Mover a matriz base para o GAA de 2 nm - o mesmo nó usado para chips lógicos de ponta - sinaliza duas coisas: (1) a largura de banda da interface HBM agora é o fator limitante, não a capacidade; (2) a Samsung está disposta a gastar wafers de nós lógicos em memória, o que reconfigura a alocação de fábricas entre as fundições.

A se observar

• Resposta da SK Hynix sobre a escolha do nó da matriz base
• Participação da TSMC vs Samsung Foundry para matriz base de 2 nm
• Se os cronogramas da Nvidia / AMD antecipam o HBM5 ou o mantêm como fornecimento para 2027-2028