SamsungがHBM5ベースダイを2nmに押し上げ、+50%の速度向上を目指す - メモリ戦争がロジック級ノードへ

SamsungはHBM5のベースダイを2nmプロセスで製造し、50%の速度向上を目指しています。メモリはもはや容量追求だけではなく、ロジックノードの経済性を追求しています。

簡単に言うと - Samsungは次世代HBM5メモリのベースダイを同社の2nm GAAプロセスノード（ロジッククラスノード）で製造し、HBM4E比で50%以上の速度向上を達成する。

事実

ETNewsによると（2026年7月27日）、SamsungはHBM5のベースダイを2nm GAAプロセスに移行すると報じている。Samsung Foundry Businessの副社長Koo Ja-geum氏は同社のニュースルームで、HBM5は直前のHBM4E比で50%以上の速度向上が必要であり、ベースダイのノード選択は速度と電力効率の両方が理由だと説明した。Tech in AsiaもHBM4E比50%以上という見解を裏付けている。HBM5はHBM4E（HBM4を超えるステップ）の後継であり、現在SK hynix / Samsung / Micronで量産フェーズに入っている。

解釈

ベースダイはDRAMダイの下に配置され、GPUとのインターフェースを制御するロジック層である。従来はDRAMの経済性が優先されたため、 trailing-edgeノードで製造されていた。ベースダイを2nm GAA（先端ロジックチップと同じノード）に移行することは、2つの意味を持つ：（1）HBMインターフェース帯域幅が容量ではなく制約要因となっている、（2）Samsungがメモリにロジックノードのウェハーを費やす意思を示しており、ファウンドリ間のウェハー分配に影響を与える。

見どころ

• ベースダイのノード選択に対するSK hynixの反応
• 2nmベースダイにおけるTSMC vs Samsung Foundryのシェア
• Nvidia / AMDのロードマップがHBM5を前倒しするか、2027-2028年の供給に留めるか