삼성이 HBM5 베이스 다이 2nm 공정으로 +50% 속도 향상 추진 - 메모리 전쟁이 로직급 노드로 이동
삼성이 HBM5의 베이스 다이(Base Die)를 자체 2nm 공정에서 제작할 계획이며, 50%의 속도 향상 목표를 설정했습니다. 메모리가 더 이상 용량만 쫓는 것이 아니라, 로직 노드 경제성을 쫓고 있습니다.
Jul 27, 2026 at 10:16 14 12
TSMC A14 in 2028: 2028년 로드맵이 다음 사이클의 AI 컴퓨팅 가격을 설정합니다
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Jul 18, 2026 at 11:11 26 8