Nanya Tech, 4배로 Capex 2027 - 대만, DRAM 부활에 거액 투자

세계 3위 DRAM 업체가 2027년 자본적 지출을 네 배로 늘릴 계획입니다. 이는 HBM이 아니라 인공지능이 다시 주목시킨 '구식' 메모리에 대한 베팅입니다.

간단히 말해

세계 3위 DRAM 제조사인 난야 테크놀로지(삼성과 SK 하이닉스에 이어, 일부 부문에서 마이크론을 앞섬)는 2027년 자본적 지출(capex)을 기존 예상치의 4배로 늘릴 계획이라고 발표했다. 이는 수십억 NT$ 규모의 급격한 증가다. 베팅 포인트: AI 서버 수요 증가와 PC/엔터프라이즈 서버 수요 반등으로 인한 DDR5 및 LPDDR5X DRAM 가격의 지속적인 상승.

주요 내용

니케이 아시아(2026년 7월 11일)에 따르면 난야는 이 자본적 지출을 두 가지 방향으로 집중할 계획이다: (1) 대만 타이난의 난커(Nan-Ke) 공장에서 1a-nm 및 1b-nm 노드로 생산 능력 확대; (2) HBM3E 전용 신규 건물 건설. HBM3E는 난야가目前为止 참여하지 않았던 분야다. 최근 몇 분기 동안 DDR5 현물 가격이 급등했으며, 장기 계약도 뒤따라 상승하고 있다.

실제 상황: HBM이 SK 하이닉스와 삼성의 DRAM 웨이퍼 점유율에서 점점 더 큰 비중을 차지하고 있다. 결과적으로 DDR5, LPDDR5X 등 '일반' DRAM은 구조적으로 공급 부족 상태가 되고 있다. HBM에 거의 참여하지 않았던 난야는 이례적으로 '상품' DRAM 부문에서 경쟁 우위를 확보하게 되었고, 이는 가격 상승과 자본적 지출 확대로 이어졌다.

배경 설명(#1000 참고): SK 하이닉스는 최근 월스트리트에서 동일한 논리로 대규모 자금을 조달했다. 메모리가 다시 희소 자산이 되었고, 그에 따라 가격도 accordingly(적절히) 책정되고 있다. 난야는 같은 전략을 더 작고 늦게 펼치고 있다.

내부 분석

• 대상 노드: 1a-nm (~0.014 μm half-pitch) 및 1b-nm - 마이크론 1β, 삼성 D1a와 동급.
• 2028년 목표 제품 믹스(회사 확인 필요): DDR5가 주력, LPDDR5X가 핵심, HBM3E가 emerging.
• Capex/수익 비율: 5년 평균 대비 2027년 급등. 금융 시장은 이를 승인했으며, 발표 당일 주가가 긍정적으로 반응했다.
• 사이클 위험: DRAM은 순환적 상품(commodity)으로, 자본적 지출 4배 증가는 현금흐름 흑자 전환 2년 전인 2년간 적자 발생을 의미.

결론

세 가지 관점. 첫째, 표준 DRAM이 다시 희소 자산 클래스가 되었다. 각 자본적 지출 확장은 18~24개월 후에야 실현되므로 고가격 기간이 지속될 여지가 크다. 둘째, 마이크론은 물론이고 비HBM 부문에서 삼성도 대응할 수밖에 없다. Q4까지 유사한 발표가 예상된다. 셋째, 클라우드/엔터프라이즈 부문에서 2025년 초 장기 메모리 계약을 체결한 기업(최저가격에)은 지난 10년간 최고의 거래를 한 셈이다. 주목할 점: 향후 90일간 DDR5 현물 가격 동향과 FY27 마이크론 자본적 지출 발표.