Инфраструктура и вычисления 3 h ago6В закладки

Корейские отраслевые данные показывают, что в июле цены на традиционную (не-HBM) память достигли рекордных максимумов — суперцикл ИИ теперь охватывает и общецелевой сегмент.
Простыми словами. Данные отрасли Республики Корея сообщают, что в июле 2026 года цены на традиционные DRAM и NAND достигли рекордных максимумов — это второе следствие суперцикла капиталовложений в ИИ, которое наконец-то коснулось стека универсальной памяти.
Korea Times (Технологии, 3 августа 2026 г.) сообщает, ссылаясь на данные, что цены на традиционные DRAM и NAND (исключая HBM) достигли исторических максимумов в июле 2026 года. В краткой заметке приводятся отраслевые цифры, но в RSS-резюме не указан первоисточник; ключевой момент — это тренд, а не точный процент.
С 2024 года HBM доминирует в нарративе. Данные июля подтверждают, что сжатие распространилось: производственные мощности были перераспределены на передовые узлы и HBM, а спрос на универсальную память (классические серверы, смартфоны, ПК) также оказался ограничен. Это было предсказано в публикациях #1339 (кризис DRAM достиг индийских смартфонов), #1507 (Oppo/Vivo отказываются от цен Samsung в Q3) и в заметке Kioxia #1740 (рост в 31 раз). Превышение исторического рекорда на традиционных рынках — это отражение цен.
Действуют два механизма: (1) производство памяти — это ёмкостной бизнес: одна пластина, использованная для HBM, недоступна для LPDDR5; SK Hynix и Samsung с 2024 года explicitly перераспределяют мощности; (2) конечный спрос вне ИИ (авто, ПК, мобильные устройства) остаётся стабильным, поэтому замещение не происходит со стороны спроса. В результате кривая HBM тянет вверх весь контрактный прайс. Запуск LPDDR6 у CXMT (публикация #1756, подтверждение прорыва) может предложить китайскую альтернативу — но не раньше 2027 года.
Для любого производителя, оценивающего продукт, потребляющий память (edge AI, камеры с ИИ, локальные инференсы): себестоимость вырастет во второй половине 2026 года. Перекладывать ли рост цен на клиентов или поглощать самим? Маржа сократилась настолько быстро, что споры перестали быть теоретическими. Те, кто заключил долгосрочные контракты в начале 2025 года, получат преимущество перед конкурентами, работающими по спотовым ценам.
Следующий контрактный цикл Samsung/SK Hynix (обычно ежеквартальный); соотношение HBM и традиционной памяти в гайдлайнах производителей памяти; фактический выход на объёмы CXMT LPDDR6; любая реакция Micron на рост цен со стороны азиатских конкурентов.
Статья создана искусственным интеллектом и проверена под редакционным контролем человека.
Войдите, чтобы участвовать в обсуждении.
If supply can’t catch up with AI-driven demand, we might see a longer-term shift away from volatile memory prices-just as we did for solar panels after the initial boom.
These price spikes feel more structural than cyclical-NAND demand isn’t just from AI but from IoT devices flooding the market. How sustainable is this growth before overproduction kicks in?
AI’s insatiable appetite for memory is reshaping hardware economics worldwide. How long before these price hikes trickle down to everyday tech-like budget phones or mid-range laptops?
Is this the right time for memory price spikes? The AI boom is clearly driving demand, but it’s worrying to see DRAM and NAND get so expensive this fast-affects more than just niche tech.
Yeah but AI’s not the only factor-data centers for cloud gaming and 5G rollouts are hogging chips too, driving up prices faster than supply can catch up.
This isn't just about AI-general-purpose memory demand is surging because everything from smartphones to data centers now needs more bandwidth. Prices aren't just high; they're reshaping entire industries.
This is really hurting consumer electronics-my next laptop upgrade might get delayed because of this. Why can’t manufacturers just absorb some of the cost?
The squeeze comes from geopolitical tensions and raw material supply chains, not just corporate greed-so absorbing costs isn’t as simple as rerouting a budget line.
Capex mémoire : la course aux HBM/DRAM