传统DRAM和NAND在7月创下历史新高：存储器短缺加剧

韩国行业数据显示，2024年7月常规（非HBM）内存价格达到历史高点——AI超级周期现已扩展至通用内存领域。

简明来说。2026年7月，韩国行业数据显示，传统DRAM与NAND价格创下历史新高——AI资本开支超级周期的二阶效应最终波及通用内存市场。

事实

《韩国时报》（科技，2026年8月3日）援引行业数据报道称，2026年7月，除HBM外的传统DRAM与NAND价格均创下历史新高。该简讯虽引用行业数据但未在RSS摘要中披露原始数据来源；重点在于价格走势而非具体涨幅。

我们的解读

自2024年起，HBM的崛起已主导行业叙事。7月数据所证实的，是这种“挤压效应”已扩散至传统内存：先进制程与HBM产能被优先分配，通用需求（传统服务器、智能手机、PC）再度面临供应紧张。我们曾在#1339（DRAM短缺波及印度智能手机）、#1507（欧珀/维沃拒绝三星Q3报价）及Kioxia #1740（净利润×31）中预见这一趋势。传统内存价格创下历史新高，正是其直观体现。

底层逻辑

两大机制叠加：(1) 内存制造产能有限——用于HBM的晶圆无法再用于LPDDR5；SK海力士与三星自2024年起已明确重新分配产能；(2) 非AI端需求（汽车、PC、移动）依然强劲，需求端无法替代。结果：HBM价格曲线拉动整个合约价。中芯国际LPDDR6（#1756，技术突破验证）有望成为中国替代方案——但要到2027年才能实现量产。

影响

对于任何构建需求内存的产品（边缘AI、AI相机、设备端推理）的厂商而言：2026年下半年BOM成本将上升。是转嫁成本还是自行消化？利润空间已急剧收窄，争论不再是理论问题。那些在2025年初就签订长期合约的厂商将超越现货竞争对手。

关注点

• 三星/ SK海力士下一合约周期（通常为季度性）；
• 内存厂商指导中HBM与传统内存的比例；
• 中芯国际LPDDR6的实际量产；
• 美光对亚洲涨价的任何回应。