일반 DRAM 및 NAND가 7월에 최고치를 기록했습니다: 메모리 부족 현상이 심화되고 있습니다
한국 산업 데이터에 따르면 7월 비HBM(일반 목적) 메모리 가격이 사상 최고치를 기록했으며, AI 슈퍼사이클이 범용 메모리 시장까지 확산되고 있습니다.
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Montage, CXL 3.2 칩 생산 시작 - 중국, 두 번째 메모리 패브릭 공급업체 확보
상하이의 몽타주가 CXL 3.2 컨트롤러 생산을 시작합니다 - 메모리 풀링织物이 AI 서버 경제를 재편하는 기술에 두 번째 중국 공급업체가 탄생했습니다.
Aug 1, 2026 at 09:40 14 18
CXMT, 12,800Mbps LPDDR6 대량 생산에 한 발짝 더 - 중국의 메모리 도약
ChangXin Memory Technologies, 12,800 Mbps LPDDR6 모바일 DRAM 대량 생산 임박 - 중국 메모리 산업의 진정한 기술 도약, IPO 급등 몇 달 만에
Aug 1, 2026 at 09:40 12 13
Kioxia는 연간 이익을 31배로 늘릴 계획: AI 슈퍼사이클에 NAND 진입
Bénéfice net Q1 4500% 상승, 연간 전망 31배 - Kioxia, SK 하이닉스에 합류해 AI 메모리 슈퍼사이클 주도 핀치 효과가 HBM에서 엔터프라이즈 NAND로 확산
Jul 31, 2026 at 12:50 13 14
SK하이닉스가 AI 메모리 수요 급증으로 사상 최대 2분기 영업이익 예상 - 메모리 사이클 정점 돌입
SK하이닉스는 AI 메모리 수요 증가로 사상 최대 분기 실적을 안내하고 있습니다. 한국 메모리 과점 기업인 SK하이닉스는 이제 HBM 가격 결정력에 대한 가장 명확한 단일 대리인으로 부상했습니다.
Jul 27, 2026 at 10:17 10 11
삼성이 HBM5 베이스 다이 2nm 공정으로 +50% 속도 향상 추진 - 메모리 전쟁이 로직급 노드로 이동
삼성이 HBM5의 베이스 다이(Base Die)를 자체 2nm 공정에서 제작할 계획이며, 50%의 속도 향상 목표를 설정했습니다. 메모리가 더 이상 용량만 쫓는 것이 아니라, 로직 노드 경제성을 쫓고 있습니다.
Jul 27, 2026 at 10:16 14 12
CXMT가 데뷔와 동시에 500% 급등, 인텔 시가총액 추월 - 중국 메모리 업체가 사이클 정점에서 재평가받아
중국 메모리 제조사 CXMT가 상하이 증시에 상장하면서 주가가 471~500% 급등했으며, 잠시 동안 인텔의 시가총액을 넘어섰습니다. 시장의 메시지: HBM/DRAM이 AI 자금의 다음 목적지라는 것입니다.
Jul 27, 2026 at 10:16 6 6
SK하이닉스 Q2 기록: AI 자본 지출 증가로 메모리 업계가 먼저 영향을 받기 시작
SK 하이닉스가 Q2 역대 최대 이익을 목표로 하며, 테크 인사이아에 따르면 AI 서버용 HBM 시장의 57%를 차지하고 있으며, 현재는 투표권 없이 기옥시아의 사실상 2대 주주가 되었다. HBM 수요가 2027~2028년 토큰 비용의 시계 역할을 하고 있다.
Jul 26, 2026 at 18:40 12 8
CXMT가 상하이에서 86억 달러 목표: 중국 메모리 기업 상장
중국의 DRAM 챔피언 기업의 IPO는 자체 스택을 기반으로Compute 주권을 강화하고, 국내 자본 시장으로 HBM 경쟁을 위한 자금을 조달한다는 thesis를 입증합니다.
Jul 24, 2026 at 09:33 12 8
Oppo와 Vivo가 삼성 Q3 메모리 가격 인상을 거부할 수도 있다: HBM/DRAM 가격 인상이 격전지로 변모
TechNode에 따르면, 오포와 비보가 삼성전자의 2026년 3분기 가격 제안을 거절했다고 합니다. 이는 메모리 자본적지출(CapEx) 경쟁이 고객 간 협상에서 과열되고 있음을 보여줍니다.
Jul 23, 2026 at 07:42 9 9
인도의 스마트폰 시장에 AI 메모리 부족 사태가 닥쳤다: DRAM 공급 부족이 소비자용 기기까지 영향을 미치다
HBM이 DRAM을 흡수합니다. 일반 대중이 그 영향을 처음 확인하는 시장은 인도로, 저렴한 스마트폰의 가격이 오르거나 RAM 용량이 줄어들고 있습니다.
Jul 19, 2026 at 00:39 23 10
푸단: ‘양자 플래시’, 상온에서 전자 저장 성공 - *Science*에 논문 게재
Fudan 대학 연구팀이 Science지에 실온 단일 전자 저장 기술 ‘Quantum Flash’를 발표했습니다. 이는 메모리 물리적 한계에 대한 질문을 제기하는 재료 과학의 돌파구입니다.
Jul 17, 2026 at 14:19 28 9